新葡的京集团8814新产品推荐-N6 SiC?

2024.04.24

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N6 SiC功率?槲1200V半桥SiC MOSFET功率?,模块导通电阻包含2.9mΩ、2.2mΩ、1.5mΩ等,满足车用系统高功率密度的需求。?槲肭诺缏罚诓坎捎枚郤iC芯片并联设计,通过串联门极电阻保证芯片均流。?椴捎玫偷绺、高效散热封装设计,?楣β驶芈吩由⒌绺行∮6.5nH。?椴捎没费踝⑺芊庾肮ひ,pinfin水冷散热基板直接水冷散热,?槟诓坎捎酶呷鹊悸、高可靠性的AMB散热绝缘基板。SiC芯片采用双面银浆烧结及铜线键合连接,优先增加?槭褂檬倜,?橥ü175℃ AQG-324可靠性认证,可长期工作在175℃结温环境。

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