N6 SiC功率？槲1200V半桥SiC MOSFET功率？椋？榈纪ǖ缱璋2.9mΩ、2.2mΩ、1.5mΩ等，满足车用系统高功率密度的需求。？槲肭诺缏罚诓坎捎枚郤iC芯片并联设计，通过串联门极电阻保证芯片均流。？椴捎玫偷绺小⒏咝⑷确庾吧杓，？楣β驶芈吩由⒌绺行∮6.5nH。？椴捎没费踝⑺芊庾肮ひ，pinfin水冷散热基板直接水冷散热，？槟诓坎捎酶呷鹊悸、高可靠性的AMB散热绝缘基板。SiC芯片采用双面银浆烧结及铜线键合连接，优先增加？槭褂檬倜，？橥ü175℃ AQG-324可靠性认证，可长期工作在175℃结温环境。